[实用新型]铝对通隔离可控硅芯片有效
| 申请号： | 201120115577.9 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN202009003U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵秀丽;苏舟;娄达;高广亮;徐敏丽;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 锦州辽晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面设有氧化层，其特殊之处是:在硅片内设有铝P型隔离墙，在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。优点是：由于硅片表面设有硅铝合金层，可以提高表面杂质浓度，大大缩短硅片的高温处理过程，减少了热处理引入的旋涡缺陷，优化器件电压及反向漏电流等参数。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 可控硅 芯片 | ||
【主权项】：
一种铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片，在硅片表面设有氧化层，其特征是：在硅片内设有铝P型隔离墙，在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。
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