[实用新型]高压大功率逆变器模块有效
| 申请号： | 201120111727.9 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN202009341U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 巫江岭;王立伟;潘蕊;李阳;刘悦 | 申请（专利权）人： | 锦州辽晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H01L25/07;H01L23/04;H01L23/367 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特殊之处是：所述的六个功率MOS芯片集成在一个管壳内，所述的管壳长度为26～30mm、宽度为20～26mm，在管壳底座上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上焊接有钼片及可伐片，所述的功率MOS芯片通过真空烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连。优点是：管壳采用一体化设计，结构紧凑，占用空间小，特别是将功率MOS器件通过真空烧结焊接在钼片上，可实现低的空洞率，降低了芯片到管壳的热阻，提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 大功率 逆变器 模块 | ||
【主权项】：
一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特征是：所述的六个功率MOS芯片集成在一个管壳内，所述的管壳长度为26～30mm、宽度为20～26mm，在管壳底座上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上焊接有钼片及可伐片，所述的功率MOS芯片通过真空烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连。
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