[实用新型]新型碳化硅MOSFET无效
| 申请号： | 201120104328.X | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN202004000U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 盛况;郭清;蔡超峰;崔京京;周伟成 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压条件下的电气设备如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等场合的新型碳化硅MOSFET。它包括相互电连接的漏极、源极和栅极，所述漏极和源极之间设有缓冲区、漂移区、P阱区和源区；所述漂移区与栅极之间设有P掺杂区和栅极绝缘层。本实用新型在普通MOSFET结构基础上，在栅极下的衬底表面增加浓度不高的掺杂区，使得在器件承受高压时，栅极绝缘层中的电场减弱，从而降低绝缘层击穿的几率，提高碳化硅MOSFET的整体耐压值。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 碳化硅 mosfet | ||
【主权项】：
新型碳化硅MOSFET，包括相互电连接的漏极（1）、源极（8）和栅极（9），其特征在于：所述漏极（1）和源极（8）之间设有缓冲区（2）、漂移区（3）、P阱区（6）和源区（7）；所述漂移区（3）与栅极（9）之间设有P掺杂区（4）和栅极绝缘层（5）。
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