[实用新型]单一芯片桥式磁场传感器有效
| 申请号： | 201120097042.3 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN202013413U | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 雷啸锋;金英西;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;刘明峰;王建国;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种单一芯片桥式磁场传感器，该传感器包括四个磁电阻元件，所述磁电阻元件的磁性钉扎层的方向设置在相同的一个方向上；位于相对位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向相同，每个磁电阻的磁性自由层的磁矩方向与其磁性钉扎层的磁矩方向所成的夹角相同，位于相邻位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向与其磁性钉扎层的磁矩方向所成的夹角的角度相同，且位于相邻位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向不相同。采用该设计可以在同一芯片上，一次直接生产出推挽桥式传感器。所公开的单一芯片桥式磁场传感器相对传统的设计具有，性能更好，工艺简单，成本更低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 芯片 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种单一芯片全桥磁场传感器，包括四个磁电阻元件，其中每个磁电阻元件由一个或多个GMR或MTJ传感元件串联组成，其特征在于：传感元件由自旋阀构成，该传感元件包括一磁性自由层和一磁性钉扎层；所述磁电阻元件的磁性钉扎层的方向设置在相同的一个方向上；位于相对位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向相同，每个磁电阻的磁性自由层的磁矩方向与其磁性钉扎层的磁矩方向所成的夹角相同，位于相邻位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向与其磁性钉扎层的磁矩方向所成的夹角的角度相同，且位于相邻位置的两个磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏多维科技有限公司，未经江苏多维科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120097042.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
