[实用新型]基于D-T中子发射器的硼中子俘获治疗装置

摘要

本实用新型涉及一种基于D-T中子发射器的硼中子俘获治疗装置，热中子反射体、快中子反射体、D-T中子发生器、中子慢化体和热中子聚焦体依次放置，在中子慢化体内部有一条热中子通道，装置外部用中子吸收体包裹，达到辐射防护的要求，本实用新型的特征在于，在D-T中子发生器的一侧依次放置快中子反射体和热中子反射体，反射沿此方向运动的中子，在D-T中子发生器另一侧的中子慢化体外部放置热中子聚焦体，用于反射远离中子慢化体的热中子，以提高热中子的利用率。在D-T中子发生器产额达到1011n/s时，本实用新型可以用于硼中子俘获治疗。

主权项

基于D‑T中子发射器的硼中子俘获治疗装置，热中子反射体(3)、快中子反射体(2)、D‑T中子发生器(1)、中子慢化体(6)和热中子聚焦体(7)依次放置，外部依次放置中子吸收体A(4)、中子吸收体B(8)和中子吸收体C(9)，在中子慢化体(6)内部有一条热中子通道(5)，其特征是：在D‑T中子发生器(1)的一侧依次放置快中子反射体(2)和热中子反射体(3)，在D‑T中子发生器(1)另一侧的中子慢化体(6)外部放置热中子聚焦体(7)。