[实用新型]PECVD设备用气源柜及PECVD设备无效
| 申请号： | 201120041190.3 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN201990725U | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王志盾;徐桂香 | 申请（专利权）人： | 青岛金立盾电子设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人： | 崔滨生 |
| 地址： | 266100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种PECVD设备用气源柜及PECVD设备。PECVD设备用气源柜，包括：柜体和储气装置，所述柜体上设置有进气口和出气口，所述储气装置与所述进气口连通。通过储气装置与柜体的进气口连通，储气装置能够通过进气口进入到柜体中，而柜体的出气口将连通PECVD设备中炉体，从而使储气装置输出的气体通过柜体注入到炉体中，避免炉体中的有害气体从进口泄漏到外部环境中而造成污染环境，实现通过PECVD设备用气源柜降低PECVD设备污染程度并提高PECVD设备的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 备用 气源柜 设备 | ||
【主权项】：
一种PECVD设备用气源柜，其特征在于，包括：柜体和储气装置，所述柜体上设置有进气口和出气口，所述储气装置与所述进气口连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛金立盾电子设备有限公司，未经青岛金立盾电子设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120041190.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：油气田集气站污水分排分储装置
- 下一篇：一种不平衡式液压抽油机
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
