[实用新型]集成电路的输出管压点的金属连线结构有效

专利信息
申请号: 201120032581.9 申请日: 2011-01-30
公开(公告)号: CN202049935U 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 申请(专利权)人: 福建福顺微电子有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/485;H01L23/482
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350018 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型涉及一种集成电路的输出管压点的金属连线结构,包括输出管,所述输出管上设有压点区,所述输出管上设有一第一介质薄膜层,所述第一介质薄膜层上的接触孔正对压点区,所述第一介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第一介质薄膜层,其内填充有钛钨过度层及第一层输出管压点连线金属层,所述第一介质薄膜层上方设有第二介质薄膜层,所述第二介质薄膜层的接触孔正对压点区,所述第二介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第二介质薄膜层,其内填充有第二层输出管压点连线金属层,所述第二介质薄膜层上方设有一表面钝化保护层,所述表面钝化保护层对应压点区的位置设有输出管压点沟槽。
搜索关键词: 集成电路 输出 管压点 金属 连线 结构
【主权项】:
一种集成电路的输出管压点的金属连线结构,包括输出管(1),所述输出管(1)上设有压点区(2),其特征在于:所述输出管(1)上设有一第一介质薄膜层(3),所述第一介质薄膜层(3)上的接触孔正对压点区(2),所述第一介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第一介质薄膜层(3),其内填充有钛钨过度层(4)及第一层输出管压点连线金属层(5),所述第一介质薄膜层(3)上方设有第二介质薄膜层(7),所述第二介质薄膜层(7)的接触孔正对压点区,所述第二介质薄膜层(7)的接触孔及沟槽穿过第二介质薄膜层(7),其内填充有第二层输出管压点连线金属层(8),所述第二介质薄膜层(7)上方设有一表面钝化保护层(9),所述表面钝化保护层(9)对应压点区的位置设有输出管压点沟槽(6)。
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