[实用新型]纯MOS结构高精度电压基准源无效
| 申请号： | 201120020091.7 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN201936217U | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张启东 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 黄瑞华 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种纯MOS结构高精度电压基准源，包括电流产生电路、自偏置电路和BGR启动电路；所述BGR启动电路，用于启动所述自偏置电路；所述电流产生电路，用于产生偏置电流；所述自偏置电路连接所述电流产生电路，用于产生基准电压。本实用新型一种纯MOS结构高精度电压基准源，不包括三极管，只包括NMOS管、PMOS管和电阻，电路简单，容易实现，无需利用CMOS工艺中的寄生三极管，也无需带隙基准源要求的高增益运放，因而功耗低，占用面积小，并有两种基准选择。 | ||
| 搜索关键词： | mos 结构 高精度 电压 基准 | ||
【主权项】：
一种纯MOS结构高精度电压基准源，其特征在于：包括电流产生电路(1)、自偏置电路(2)和BGR启动电路(3)；所述BGR启动电路(3)，用于启动所述电流产生电路(1)或自偏置电路(2)；所述电流产生电路(1)，用于产生偏置电流；所述自偏置电路(2)连接所述电流产生电路(1)，用于产生基准电压。
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