[发明专利]鳍片式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110458242.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187290A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及鳍片式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。根据本发明的制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成图案化的硬掩模；形成伪栅以包覆该硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分；利用该硬掩模和该伪栅作为掩模，刻蚀半导体衬底；在半导体衬底的暴露的表面上选择性生长锗硅或碳硅；去除伪栅，从而暴露硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分和在伪栅下方的部分半导体衬底；利用硬掩模的暴露的所述部分作为掩模，刻蚀暴露的所述部分半导体衬底以形成FinFET的沟道区；以及形成该FinFET的栅极结构。利用本发明的FinFET及其制造方法，可以提高FinFET中的载流子迁移率，并且提高FinFET的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片式 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍片式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：在半导体衬底上形成图案化的硬掩模；形成伪栅以包覆所述硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分；利用所述硬掩模和所述伪栅作为掩模，刻蚀所述半导体衬底；在所述半导体衬底的暴露的表面上选择性生长锗硅或碳硅；去除所述伪栅，从而暴露所述硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分和在所述伪栅下方的部分半导体衬底；利用所述硬掩模的暴露的所述部分作为掩模，刻蚀暴露的所述部分半导体衬底以形成所述鳍片式场效应晶体管的沟道区；以及形成所述鳍片式场效应晶体管的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
