[发明专利]一种多晶硅制备方法有效
| 申请号： | 201110457997.X | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102557038A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 江宏富;钟真武 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅的步骤，其特征在于所述化学气相沉积过程中，向还原炉内通入0.1%~20%卤化氢气体。本发明能有效抑制还原炉内体相中产生硅粉，消除雾化现象，反应所产生的热量可供多晶硅沉积使用，提高能量利用效率和硅沉积速率，而且无需降低反应温度和卤代硅烷浓度，卤化氢在硅棒表面的刻蚀，有助于改善表面形貌，得到致密多晶硅棒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料卤代硅烷与高纯氢气在1050‑1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅使得硅棒不断长大的步骤，其特征在于所述化学气相沉积反应过程中，向还原炉内通入0.1mol%~20mol%卤化氢气体。
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