[发明专利]存储器电路有效
| 申请号： | 201110457699.0 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102522117A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘岐;马庆容;沈晔晖;倪成峰;俞惠芬;张之本;满佳喜 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 200433 上海市杨浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器电路。所述存储器电路，包括存储单元阵列和外围电路，所述外围电路包括电荷泵电路，还包括与电荷泵电路连接的箝位电路，所述箝位电路包括并联连接的过压保护模块和箝位模块，所述过压保护模块用于保护存储器高压电路中的MOS晶体管，所述箝位模块用于箝位电荷泵电路的输出电压，所述电荷泵电路的输出端耦接至所述箝位模块的第一端。本发明的存储器电路，同时保证存储单元的阈值窗口的稳定性、存储单元的可靠性和高压电路中晶体管的可靠性，能够在工作温度范围内实现恒定的箝位电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器电路，包括存储单元阵列和外围电路，所述外围电路包括电荷泵电路，还包括与电荷泵电路连接的箝位电路，其特征在于，所述箝位电路包括并联连接的过压保护模块和箝位模块，所述过压保护模块用于保护存储器高压电路中的MOS晶体管，所述箝位模块用于箝位电荷泵电路的输出电压，所述电荷泵电路的输出端耦接至所述箝位模块的第一端。
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