[发明专利]半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201110454286.7 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102956786A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 郑太逸;金英采;金善万;韩睿志;朴清勋;崔炳均;姜世恩 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法。一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括使用导电薄膜和绝缘薄膜形成的光透射电极层，以代替透明电极层，所述半导体发光器件包括：基板；第一半导体层，该第一半导体层形成在所述基板上；有源层，该有源层形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，该第二半导体层形成在所述有源层上；光透射电极层，该光透射电极层形成在所述第二半导体层上，所述光透射电极层具有沉积有至少一个导电薄膜和至少一个绝缘薄膜的结构；以及第一电极，该第一电极形成在所述光透射电极层上，其中所述光透射电极层包括至少一个接触部分，以使所述至少一个导电薄膜与所述第一电极接触。 | ||
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【主权项】：
一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：基板；第一半导体层，该第一半导体层形成在所述基板上；有源层，该有源层形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，该第二半导体层形成在所述有源层上；光透射电极层，该光透射电极层形成在所述第二半导体层上，所述光透射电极层具有沉积有至少一个导电薄膜和至少一个绝缘薄膜的结构；以及第一电极，该第一电极形成在所述光透射电极层上，其中，所述光透射电极层包括至少一个接触部分，以使所述至少一个导电薄膜与所述第一电极接触。
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