[发明专利]一种非线性电阻片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110449829.6 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102543333A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王玉平 | 申请（专利权）人： | 中国西电电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C17/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710075*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非线性电阻片及其制备方法，该非线性电阻片由以下摩尔百分比组分组成烧结而成：Bi2O3：0.4-1.1％，Co2O3：0.6-1.1％，MnCO3：0.3-0.8％，Sb2O3：0.8-1.8％，Cr2O3：0.3-0.8％，SiO2：0.8-1.5％，NiO 0.4-1.1％组成的添加剂；余量为主料ZnO。本发明通过优化电阻片的原料配方，特别是控制Bi2O3/Sb2O3的摩尔比例，直接影响着电阻片晶粒的大小及多晶粒交叉区的尖晶石相等显微结构的生成，影响电阻片电气性能特别是其电场强度和保护残压比；可以保障非线性电阻片的电场强度有效提高，而且促使保护残压比充分降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非线性 电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非线性电阻片，其特征在于，由以下摩尔百分比组分组成烧结而成：Bi2O3：0.4‑1.1％，Co2O3：0.6‑1.1％，MnCO3：0.3‑0.8％，Sb2O3：0.8‑1.8％，Cr2O3：0.3‑0.8％，SiO2：0.8‑1.5％，NiO 0.4‑1.1％组成的添加剂；余量为主料ZnO。
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