[发明专利]Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110449769.8 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102534767A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;丁萍;黄靖云;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法，采用的是等离子体辅助分子束外延方法。将清洗处理后的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～600℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10-5～6×10-5Torr，以金属Zn源为反应源，固体NaF粉末为Na掺杂源，在衬底上生长p型ZnO单晶薄膜。采用本发明方法Na掺杂浓度易控，能有效保证薄膜的晶体质量，制备的p-ZnO薄膜为单晶薄膜，具有优异的电学性能、重复性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | na 掺杂 生长 zno 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法，其步骤如下：将清洗处理后的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～600 ℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10‑5～6×10‑5 Torr；以金属Zn源为反应源，固体NaF粉末为Na掺杂源，调节Zn源温度260～350 ℃，调节Na源温度400～600 ℃；在衬底上生长Na掺杂p型ZnO单晶薄膜，生长结束后将薄膜在氧气氛下以小于等于5 ℃/min 的速率降温冷却至室温。
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