[发明专利]防止金属互连线上形成圈状金属残留物的方法有效
| 申请号： | 201110449324.X | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187357A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吕淑瑞;栾广庆 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 徐丁峰;汪洋 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止金属互连线上形成圈状金属残留物的方法，该方法包括：提供半导体衬底；采用溅射法在所述半导体衬底上形成铝金属层，所述铝金属层用于形成最后一层金属互连线，其中，形成所述铝金属层时的溅射温度低于或等于250℃。本发明的方法通过降低形成铝金属层时的溅射温度，可有效地解决圈状的金属残留物问题。与现有技术相比，本发明的方法未增加任何工艺步骤，因此可以保证原有的生产周期，但却提高了产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 金属 互连 线上 形成 残留物 方法 | ||
【主权项】：
一种防止金属互连线上形成圈状金属残留物的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；采用溅射法在所述半导体衬底上形成铝金属层，所述铝金属层用于形成最后一层金属互连线，其中，形成所述铝金属层时的溅射温度低于或等于250℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
