[发明专利]具有低寄生电容的金属氧化层金属电容

摘要

本发明公开了金属-氧化层-金属电容，包含有第一金属层，具有负电性；第二金属层，具有负电性；以及至少一第三金属层，设于该第一金属层及该第二金属层之间，该至少一第三金属层中每一第三金属层包含具有负电性的多条第一导线以及具有正电性的多条第二导线，并且该每一第三金属层的两侧分别为该多条第一导线其中的第一导线。本发明金属-氧化层-金属电容的正电极相对地或对其它点的寄生电容较已知技术大幅降低，其更适用于对寄生电容敏感的电路，如运算放大器的输入端。

主权项

一种金属‑氧化层‑金属电容，包含有：多个第一金属层，具有第一电性；以及至少一第二金属层，具有第二电性，该至少一第二金属层中每一第二金属层设于该多个第一金属层中两相邻的第一金属层之间，并且该每一第二金属层的面积小于相邻的该第一金属层的面积。