[发明专利]一种制备石墨烯薄膜的装置、方法及所得石墨烯薄膜

摘要

本发明涉及一种通过化学气相沉积法(CVD法)连续制备石墨烯薄膜的装置，其主要由进样室、炉管和出样室组成，生长室高温生长区将一直保持高温生长温度，不用等待升降温的过程，并解决了样品在高温区的传动问题，可以进行不间断的生长，从而大幅度提高用化学气相沉积(CVD)方法制备石墨烯薄膜的产量。

主权项

一种连续制备石墨烯薄膜的装置，其包括一个两端开口的炉管(14)，该两端开口分别与一个进样室(10)的一个开口端和一个出样室(11)的一个开口端连接，其中炉管与进样室的连接处设置有一个阀门(9)和一个进气接口部件(32)，炉管与出样室的连接处设置有一个阀门(8)和一个出气接口部件(50)，并且所述进样室(10)还装配有一个进/出气接口部件(12)和一个进样口(21)，所述出样室还装配有一个进/出气接口部件(13)和一个出样口(41)。