[发明专利]柔性衬底上溶液法生长ZnO纳米线阵列的方法无效
| 申请号: | 201110440732.9 | 申请日: | 2011-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN102492987A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
| 发明(设计)人: | 黄培;王晓东;蒋里锋;俞娟 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
| 主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B5/00;C30B7/10;C30B29/62;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 徐冬涛;袁正英 |
| 地址: | 210009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了柔性衬底上溶液法生长ZnO纳米线阵列的方法。主要通过将酸碱处理后的聚酰亚胺薄膜(PI)以浸渍提拉的方法涂覆以锌盐,胺类物质和有机溶剂为原料的ZnO溶胶。然后在较高的温度下后热处理制备了用于ZnO纳米线生长的籽晶层后用低温水热反应的方法在PI薄膜上制得ZnO纳米线阵列。发明方法所用设备简单,没使用任何专用设备,易操作,制备的ZnO纳米线阵列粗细均匀,阵列化良好,成本低,适宜于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词: | 柔性 衬底 溶液 生长 zno 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】:
柔性衬底上溶液法生长ZnO纳米线阵列的方法,其具体步骤如下:A.柔性衬底PI的酸碱表面处理将柔性衬底PI薄膜在质量分数为5%‑20%的碱溶液里处理1min~100min,再将处理过后的PI薄膜在质量分数为5%‑20%的酸溶液里浸泡1min~100min,洗净后在真空干燥箱里面干燥备用;B.ZnO溶胶的配置:a.秤取一定量锌盐,然后滴加与锌盐稳定剂,再加入有机溶剂,配置成Zn2+浓度为0.05‑1mol/L的混合溶液;b.将混合溶液置于50‑80℃水浴中搅拌加热0.5‑5小时,形成无色或微黄色透明湿溶胶;c.将制得的溶胶在干燥箱中陈化,制得氧化锌溶胶;C.浸渍提拉法的涂膜与凝胶化使用提拉器将步骤A中制备的酸碱处理后的PI薄膜匀速浸入溶胶,在溶胶中浸泡后,再以相同的速度将PI薄膜匀速提出溶胶,接着在空气中悬挂;D.重复步骤C 1‑10次,制得涂有ZnO溶胶的PI薄膜;E.ZnO薄膜的后热处理将步骤D中制备的涂有ZnO溶胶的PI薄膜放入烘箱中,在300‑500℃温度下进行热处理1‑4h,然后冷却制得生长有ZnO籽晶的PI薄膜;F.水热法生长纳米ZnO阵列分别配置锌盐水溶液和碱液,并将锌盐水溶液和碱液混合配制成PH值为6‑10,Zn2+摩尔浓度为0.005‑0.1mol/L的混合溶液,再将E步骤中制得的PI薄膜垂直浸没于混合溶液中,在80‑100℃下反应0.5‑12h后取出,用去离子水漂洗,烘干即制得在PI薄膜上的ZnO纳米线阵列。
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