[发明专利]一种石墨烯基水平结构超级电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110439799.0 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102522208A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 何大伟;王永生;吴洪鹏;许海腾;富鸣 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/15 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种石墨烯基水平结构超级电容器及其制备方法，涉及一种超级电容器及制备方法。解决了现有的超级电容器垂直结构与石墨烯在二维平面上展现出的物化性能不能兼容的问题。该器件结构是在衬底(1)上顺序制作左石墨烯导电薄膜电极(2)、右石墨烯导电薄膜电极(3)、左金属电极(4)、右金属电极(5)，左石墨烯导电薄膜电极(2)、右石墨烯导电薄膜电极(3)之间填充固态电解质层(6)。其方法包括：步骤一氧化石墨烯薄膜的制备；步骤二石墨烯导电薄膜电极的制备；步骤三金属电极的制备；步骤四水平结构超级电容器的制备。该超级电容器能够广泛应用于电子产品、新能源交通、新能源发电系统以及电磁脉冲等军用设备领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 水平 结构 超级 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯基水平结构超级电容器，其特征在于：在衬底(1)上顺序制作左石墨烯导电薄膜电极(2)、右石墨烯导电薄膜电极(3)、左金属电极(4)、右金属电极(5)，左石墨烯导电薄膜电极(2)、右石墨烯导电薄膜电极(3)之间填充固态电解质层(6)。
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