[发明专利]化学机械抛光浆料组合物及使用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110433308.1 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102585704A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 韩德洙;金桓铁;金錫主;朴烋范 | 申请（专利权）人： | 韩国首尔步瑞株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛;任晓华 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂，其余的为溶剂。所述用于化学机械抛光的浆料组合物对于氧化硅膜具有显著高的抛光速率，能够选择性地防止去除氮化硅膜，不导致不均衡的抛光，提供优异的平坦化度，具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属膜和氧化物膜的抛光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 浆料 组合 使用 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含：0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自如下组成的组中的任一种：氨基酸、氨基酸衍生物、其盐及它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂；其余为溶剂。
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