[发明专利]硅复合物外延生长厚度的检测方法及硅复合物的制作方法有效
| 申请号： | 201110431450.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103177938A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅复合物外延生长厚度的检测方法，包括：将外延生长反应腔降至常温，在该反应腔内进行检测，或在保护气体保护下将生长硅复合物外延层的基片从外延生长反应腔移入另外的常温腔室内进行检测，所述检测包括：使用傅氏转换红外线光谱仪检测所述硅复合物中的成分及各元素的含量，使用椭圆偏光法检测所述生长的硅复合物的厚度；其中，如果所述厚度满足需求，则停止生长；如果所述厚度不满足需求，在所述外延生长反应腔内进行检测时，升温继续使硅复合物生长，在所述另外的常温腔室内进行检测时，在所述保护气体的保护下重新移入所述反应腔内，继续使硅复合物生长。采用本发明的技术方案，可以实现在线检测。 | ||
| 搜索关键词： | 复合物 外延 生长 厚度 检测 方法 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅复合物外延生长厚度的检测方法，其特征在于，包括：将外延生长反应腔降至常温，在该反应腔内进行检测，或在保护气体保护下将生长硅复合物外延层的基片从外延生长反应腔移入另外的常温腔室内进行检测，所述检测包括：使用傅氏转换红外线光谱仪检测所述硅复合物中的成分及各元素的含量，使用椭圆偏光法检测生长的硅复合物的厚度；其中，如果所述厚度满足需求，则停止生长；如果所述厚度不满足需求，在外延生长反应腔内进行检测时，升温继续使硅复合物生长，在另外的常温腔室内进行检测时，在所述保护气体的保护下重新移入所述反应腔内，继续使硅复合物生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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