[发明专利]一种多晶硅棒的制备方法无效
| 申请号： | 201110430208.3 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102515166A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 侯俊峰;武在军;李峰;杨光军;毕明锋;张滨泉 | 申请（专利权）人： | 国电宁夏太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 753202 宁夏回族自治区石*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多晶硅棒的制备方法，该方法包括：向钟罩式还原炉内的硅芯施加高压，使所述硅芯被击穿；降低连接硅芯的电源的电压，使硅芯的温度维持在1130℃～1150℃；向钟罩式还原炉内通入具有预设摩尔比的三氯氢硅和氢气，使二者在硅芯表面反应生成硅，所述硅芯和其表面生成的硅统称为多晶硅棒；根据多晶硅棒的直径调整连接硅芯的电源的频率，使多晶硅棒表面产生趋肤效应，且使多晶硅棒的温度维持在1130℃～1150℃。采用本发明所提供的方法可制备出直径大于300mm的多晶硅棒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅棒的制备方法，其特征在于，包括：向钟罩式还原炉内的硅芯施加高压，使所述硅芯被击穿；降低连接硅芯的电源的电压，使硅芯的温度维持在1130℃～1150℃；向钟罩式还原炉内通入具有预设摩尔比的三氯氢硅和氢气，使二者在硅芯表面反应生成硅，所述硅芯和其表面生成的硅统称为多晶硅棒；根据多晶硅棒的直径调整连接硅芯的电源的频率，使多晶硅棒表面产生趋肤效应，且使多晶硅棒的温度维持在1130℃～1150℃。
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