[发明专利]一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法

摘要

本发明涉及太阳电池，特指一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法。通过硅片清洗、掩饰网络形成、金属薄膜的溅射制备、纳米阵列结构形成和表面杂质去除等5个步骤制备了可降低入射光反射率的纳米阵列。本发明具有均匀性良好、制备成本低、操作简便、易于大面积生产等优点。

主权项

一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法，包括如下步骤：（1）硅片清洗：清洗后的硅片的表面滴加去离子水，去离子水在室温下自然晾干至少需要48小时；（2）掩饰网络形成：采用纳米石墨粉做溶质加入到去离子水中，配成纳米石墨溶液，并用滴管均匀滴到硅片表面，待纳米石墨溶液形成胶浊状态时，用匀胶机甩匀后烘干；（3）金属薄膜的溅射制备：采用磁控溅射技术在硅片上沉积金属铝或银薄膜；（4）纳米阵列结构形成：将沉积好金属薄膜的硅片浸入到作为腐蚀液的双氧水、氢氟酸和去离子水的混合溶液中处理60 min；其中，每升混合溶液中含有双氧水0.46 mol；每升混合溶液中含有氢氟酸1 mol；（5）表面杂质去除。