[发明专利]熔融织构法制备掺银高温超导块材中避免籽晶熔化的方法无效

专利信息
申请号: 201110428607.6 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN103172361A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 焦玉磊;郑明辉 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C04B35/45 分类号: C04B35/45;C04B35/622
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘茵
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种熔融织构法制备掺银高温超导块材中避免籽晶熔化的方法,该方法包括:在实施熔融织构工艺之前,在压制成型的掺银超导母体和籽晶之间加入含RE123+xRE211(x=0.2-0.4)的厚度为1-2mm的隔离层,该隔离层不含银元素,该RE123具有与掺银超导母体相似的晶格常数,且熔点高于母体的熔化温度,但低于籽晶的熔点;随后将放置好籽晶的母体置入高温加热炉,采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺制备单畴REBCO超导块。该方法可防止在熔融织构过程中籽晶发生熔化,大幅度提高了冷籽晶技术制备掺银单畴高温超导块材的成品率。
搜索关键词: 熔融 法制 备掺银 高温 超导 块材中 避免 籽晶 熔化 方法
【主权项】:
一种熔融织构法制备掺银高温超导块材中避免籽晶熔化的方法,其特征在于,该方法包括:在实施熔融织构工艺之前,在压制成型的掺银超导母体和籽晶之间加入厚度为1‑2mm含RE123+xRE211的隔离层,其中x=0.2‑0.4,该隔离层不含银元素,该RE123具有与掺银超导母体相似的晶格常数,且熔点高于母体的熔化温度,但低于籽晶的熔点;随后将放置好籽晶的母体置入高温加热炉,采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺制备单畴REBCO超导块。
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