[发明专利]发光二极管制造方法无效
申请号: | 201110423658.X | 申请日: | 2011-12-17 |
公开(公告)号: | CN103165765A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 陈立翔;陈滨全 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一基板,于基板上形成一对电极;于该基板上设置一发光芯片,使该发光芯片的两极分别于该对电极电连接;提供一挡板,该挡板上设有一凹槽,将该挡板安放于该基板上,使该发光芯片收容于该凹槽中,该挡板包围于发光芯片周围;于该发光芯片上形成一封装体,该封装体的底部收容于该凹槽中,该封装体的顶部凸出于该挡板的顶面;提供一等离子产生器,将该等离子产生器设置于该挡板的顶面的一侧,该等离子产生器沿平行于该基板的方向向该封装体凸出该挡板的顶部喷射等离子束,该等离子束对该封装体的顶部进行干蚀直至该封装体的顶部形成平面状的出光面。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一基板,于该基板上形成至少一对电极;于该基板上设置至少一发光芯片,使该至少一发光芯片的两极分别与该至少一对电极电连接;提供一挡板,该挡板上设有至少一凹槽,将该挡板安放于该基板上,使该至少一发光芯片收容于该至少一凹槽中,该挡板包围于该至少一发光芯片周围;于该至少一发光芯片上形成一封装体,该封装体的底部收容于该至少一凹槽中,该封装体的顶部凸出于该挡板的顶面;提供一等离子产生器,将该等离子产生器设置于该挡板的顶面的一侧,该等离子产生器沿平行于该基板的方向向该封装体凸出该挡板的顶部喷射等离子束,该等离子束对该封装体的顶部进行干蚀直至该封装体的顶部形成平面状的出光面。
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