[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201110422209.3 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102522437A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 尹苓;肖旭东;张康 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;C23C28/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，导电窗口层为n型的石墨烯薄膜。石墨烯薄膜作为CIGS太阳能电池装置的导电窗口层，除了比传统导电窗口层ZnO:Al薄膜具有更低方块电阻外，还可以避免ZnO:Al薄膜导致的近红外光波段的损耗，提高电池对光的利用率，进而优化电池性能。此外，本发明还涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 太阳能电池 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其特征在于，所述导电窗口层为n型的石墨烯薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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