[发明专利]基于导电奈米沟道板的静态随机存取内存单元有效
| 申请号： | 201110421278.2 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102623410A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | D·丘马科夫;W·布赫霍尔茨;P·黑策 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/28;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于导电奈米沟道板的静态随机存取内存单元，换言之，一种形成在导电本体中的奈米沟道中的电容器。实施例包含形成通过第一层间介电质的源极接触；在该第一层间介电质上形成导电本体；在该导电本体上形成第二层间介电质；形成通过该第二层间介电质、导电本体、和第一层间介电质的漏极和栅极接触；在该导电本体中形成奈米沟道；在该沟道中形成绝缘层；以及金属化该沟道。实施例包含形成该奈米沟道的下列步骤：在该第二层间介电质上形成掩膜、通过该掩膜蚀刻该第二层间介电质、通过该掩膜将该导电本体蚀刻至该导电本体的厚度的80％至90％的深度、以及移除该掩膜，其中，该掩膜具有特征，而该特征有50奈米至100奈米的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 导电 沟道 静态 随机存取 内存 单元 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：形成通过第一层间介电质的源极接触；在该第一层间介电质上形成导电本体；在该导电本体上形成第二层间介电质；形成通过该第二层间介电质、导电本体、和第一层间介电质的漏极和栅极接触；在该导电本体中形成奈米沟道；在该沟道中形成绝缘层；以及金属化该沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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