[发明专利]采用高温氧化制程制备IGBT用单晶硅晶圆背封材料的工艺

摘要

本发明涉及一种采用高温氧化制程制备IGBT用单晶硅晶圆背封材料的工艺，工艺包括如下步骤：a、将装有待处理晶圆的石英舟装入高温氧化炉体内，炉体温度保持为600至800℃；b、通入氮气和氧气；升温至1000℃－1150oC，恒温退火4小时以上；c、停止通O2，将石英舟从高温氧化炉取出，d、用N2吹扫,利用划磨式或手贴膜式去除氧化膜的方法去除正面及边缘的氧化层，对比LPCVD技术，高温氧化背封的加工量高，对比PECVD技术，高温氧化不会带来化学、粒子污染，能兼顾产量和合格率，又不引入新的污染，可以用于IGBT等电力电子器件用外延片的原材料衬底的制备，是适用于大规模工业生产的制备单晶硅晶圆背封技术。

主权项

一种采用高温氧化制程制备IGBT用单晶硅晶圆背封材料的工艺，其特征在于：所述工艺包括如下次序步骤：将装有待处理晶圆的石英舟装入高温氧化炉体内，炉体温度保持为600至800℃；通入纯度≥99%的氮气和纯度≥99.9993%的氧气；通入氮气的流量为：6至9L/min，通入氧气O2的流量为4至16L/min；待15分钟匀气后，开始升温，60至90分钟内炉体升温至1000℃－1150oC，然后恒温退火4小时以上；使晶圆正反面都完全氧化，保持通O2，降温2至3小时后，炉体降温到600至800℃；停止通O2，将石英舟从高温氧化炉取出，用N2吹扫, 流量为6至9L/min；待晶圆降至室温后从石英舟中取出；利用划磨式或手贴膜式去除氧化膜的方法去除正面及边缘的氧化层。