[发明专利]一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法，本方法采用氯化镉或硝酸镉作为Cd2+离子源，以硒代硫酸钠溶液作为Se2-离子源，以氨水作为缓冲剂，分别以三乙醇胺、柠檬酸钠、水合肼中的一种作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在玻璃衬底上形成了粒径分布均匀、致密且附着力较好的CdSe纳米晶半导体薄膜；通过改变化学浴反应前驱物中络合剂的浓度、pH值、反应时间和反应温度，可以控制CdSe纳米晶颗粒的尺寸大小，CdSe纳米晶颗粒粒径在50~200nm范围内；薄膜的光学带隙Eg为1.8~1.9eV；将CdSe纳米晶应用于量子点敏化太阳电池或异质结电池，有利于提高电池对可见光的响应,从而可提高太阳电池的光电转化效率。

主权项

一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法，其特征在于：采用化学浴沉积法，以氯化镉（CdCl2·H2O）或硝酸镉（Cd(NO3)2·4H2O）溶液提供Cd2+离子源；以硒代硫酸钠（Na2SeSO3）溶液提供Se2‑离子源，以氨水（NH3·H2O）作为缓冲剂，分别以三乙醇胺(C2H5O)3N），柠檬酸钠 (C6N5O7Na3·2H2O)、水合肼(H4N2·H2O)中的一种作为络合剂，配制化学反应前驱物，把清洗干净的玻璃衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入水浴锅中进行恒温反应，制备CdSe纳米晶半导体薄膜。