[发明专利]铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法有效
申请号: | 201110418886.8 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102779891A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 尹苓;肖旭东;张康 | 申请(专利权)人: | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层,其中,背电极层为石墨烯薄膜。通过采用电学性能优异的石墨烯薄膜取代传统的Mo背电极,不仅能够节约Mo原料,而且由于电池的衬底和背电极透光,使得电池上下面都有光的吸收,进入电池中光通量增加,从而可以产生更多的电子空穴对,使得铜铟镓硒薄膜电池装置能够在相对较薄的光吸收层下仍保持很高的光电转换效率。此外,本发明还涉及一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层,其特征在于,所述背电极层的材质为石墨烯薄膜;所述铜铟镓硒光吸收层包括靠近所述背电极层的第一光吸收层、位于中间的第二光吸收层及靠近所述缓冲层的第三光吸收层;其中,所述第一光吸收层的带隙宽度从靠近所述背电极层至所述第二光吸收层线性递减,且带隙宽度的梯度差为100meV~400meV,厚度为300nm~800nm;所述第二光吸收层的带隙宽度选自1.04eV~1.25eV,厚度为100nm~500nm;所述第三光吸收层的带隙宽度从所述第二光吸收层至靠近所述缓冲层线性递增,带隙宽度的梯度差为10meV~160meV,厚度为20nm~200nm;且所述第一光吸收层的最低带隙宽度、第三光吸收层的最低带隙宽度与第二光吸收层的带隙宽度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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