[发明专利]一种用于相变存储器的快速数据读取电路有效
申请号: | 201110417914.4 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103165179A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 周忠玲;洪红维;黄崇礼 | 申请(专利权)人: | 北京时代全芯科技有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/26 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100176 北京市经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种用于相变存储器的快速数据读取电路,其包括存储阵列、固定电阻和缓冲器。该快速数据读取电路还可以包括与固定电阻串联的可变电阻和电阻变化检测电路。本发明的快速数据读取电路采用电阻分压原理,并用简单的缓冲器取代灵敏放大器,这种设计减少了芯片面积,使电路结构更加简单,降低了功耗,提高了数据读取速度。本发明的电阻变化检测电路检测相变材料电阻的变化,控制可变电阻的大小,使分压电路的输出结果更加准确,提高了数据读取准确性。 | ||
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【主权项】:
一种用于相变存储器的快速数据读取电路,其特征在于,包括:存储阵列,所述存储阵列具有m行n列相变存储单元,所述相变存储单元包括晶体管(14)和与所述晶体管串联的相变材料(12),所述m、n为正整数;固定电阻,所述固定电阻的数量为p,所述每一个固定电阻通过一个第一开关(S22)与h列相变存储单元相连;缓冲器(15),所述缓冲器(15)的数量为p,所述每一个缓冲器(15)通过一个第二开关(S21)与h列相变存储单元相连,所述p、h为正整数且p×h=n。
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