[发明专利]一种适于丝网印刷的半导体分立器件背面金属的生产方法

摘要

本发明属于半导体器件制造领域，具体为一种适于丝网印刷的半导体分立器件背面金属的生产方法。本发明的工艺步骤如下：1）贴膜；2）通过机械研磨减薄晶片；3）去应力腐蚀；4）金属淀积前的晶片表面处理；5）去除步骤1贴上的UV膜；6）晶片背面金属蒸发。本发明在晶片背面生长Cr/Ni/Ag结构的多层金属，其不同于Ti/Ni/Ag结构的多层金属结构及其生产工艺，由于Cr在高温时容易与硅形成合金，在确保金属与硅形成欧姆接触的前提下，也保证金属与硅焊接时不会脱落，同时也符合丝网印刷工艺的要求。本发明的金属Ni还可以用NiV代替，Ag还可以用Au代替。

主权项

一种适于丝网印刷的半导体分立器件背面金属的生产方法，其特征在于包括以下工艺步骤：1）贴膜：已完成器件正面结构的晶片，使用UV膜贴于晶片正面；2）通过机械研磨减薄晶片：先粗磨，用320目的砂轮研磨掉300um晶片背面的硅，再细磨，用2000目砂轮研磨掉30um晶片背面的硅；3）去应力腐蚀：a.经步骤2处理后的晶片在腐蚀液中浸3分钟，温度为19.5±2.5℃；b.纯水溢流冲洗10分钟；c.化学品去污5分钟；d.纯水溢流冲洗10分钟；e.硅氧化物缓冲腐蚀，腐蚀时间5分钟，缓冲腐蚀液由氟化铵和氢氟酸按体积比10：1混合而成；f.纯水溢流冲洗10分钟；g.甩干；4）金属淀积前的晶片表面处理：用浓度为0.49%的氢氟酸清洗5分钟；再用纯水喷淋7次，每次1分钟，溢流10分钟；5）去除步骤1贴上的UV膜：使用UV照射机照射晶片正面的UV膜，使其失去粘性，再使用去膜胶带贴于膜上，通过胶带对膜的粘附力将膜从晶片正面剥离；6）晶片背面金属蒸发：a.在高真空腔体中加热烘烤晶片，真空度低于5E‑6Torr，加热温度为150℃；b.在真空度低于2.0E‑6Torr下，淀积Cr，具体为：将Cr粉置于钨坩埚中，通过电子束蒸发的方式，调节电子束扫描，使Cr粉气化，淀积到晶片表面；c.在完成步骤b后保持晶片在真空状态，且真空低于2.0E‑6 Torr，淀积Ni，Ni由Ni锭和Ni颗粒，Ni颗粒置于Ni锭之上，具体为：通过电子束蒸发的方式，调节电子束扫描Ni锭和Ni颗粒，使其表面液化和气化，并淀积到晶片表面；d.在完成步骤c后保持晶片在真空状态，且真空度低于2.0E‑6Torr，淀积Ag或Au，具体为：将Ag颗粒或Au颗粒置于钨坩埚内，通过电子束蒸发的方式，调节电子束扫描Ag颗粒或Au颗粒，使其完全熔化和气化，并淀积于晶片表面。