[发明专利]穿衬底互连件的形成方法

摘要

本发明提供一种穿衬底互连件的形成方法，所述方法包含形成进入半导体衬底中的通路。所述通路延伸到所述衬底的半导电材料中。涂施液体电介质，以相对于衬底的从中最初形成所述通路的一侧至少为所述通路的侧壁的正视看来最外面的部分加衬里。使所述通路内的所述液体电介质凝固。在所述通路内在所述凝固电介质上形成导电材料，且用所述导电材料形成穿衬底互连件。

主权项

一种形成穿衬底互连件的方法，其包括：在半导体衬底的一侧上形成钝化电介质；形成从自其中形成所述通路的所述衬底侧穿过所述钝化电介质并进入所述衬底的半导电材料中的通路；在所述钝化电介质上气相沉积介电材料，以至少为所述通路的侧壁的正视看来最外面的部分加衬里；使所述介电材料凹入所述通路内；将液体电介质涂施到所述通路中，以至少为所述通路的侧壁的在所述凹入的介电材料上方的正视看来最外面的部分加衬里，且所述液体电介质被横向接纳在所述通路内所接纳的所述凹入介电材料的正视看来最外面的部分上，所述涂施并不用所述液体电介质为所有所述通路侧壁加衬里；使所述通路内的所述液体电介质凝固；以及在所述通路内在所述凝固电介质上形成导电材料，且用所述导电材料形成穿衬底互连件，其中所述通路有一基底，且其中所述气相沉积使所述介电材料形成以与所述通路基底相接触。