[发明专利]热式光检测装置、电子设备、热式光检测器及其制造方法无效
申请号: | 201110414353.2 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN102564601A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 土屋泰 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G01J5/08 | 分类号: | G01J5/08;G01J5/12;B81C1/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了热式光检测器、热式光检测装置、电子设备及热式光检测器的制造方法,该热式光检测器具有:基板;支撑部件,隔着空腔部被支撑于基板;热检测元件,形成在支撑部件上;第一光吸收层,在热检测元件及支撑部件上,与热检测元件接触地形成;以及第二光吸收层,在第一光吸收层上,与第一光吸收层接触地形成,第二光吸收层具有比第一光吸收层高的折射率,在支撑部件的表面和第二光吸收层的上表面之间,第一波长谐振,在第一光吸收层和第二光吸收层接触的界面与第二光吸收层的上表面之间,与第一波长不同的第二波长谐振。 | ||
搜索关键词: | 热式光 检测 装置 电子设备 检测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种热式光检测器,其特征在于,具有:基板;支撑部件,隔着空腔部被支撑于所述基板;热检测元件,形成在所述支撑部件上;第一光吸收层,在所述热检测元件及所述支撑部件上,与所述热检测元件接触地形成;以及第二光吸收层,在所述第一光吸收层上,与所述第一光吸收层接触地形成,所述第二光吸收层具有比所述第一光吸收层高的折射率,在所述支撑部件的表面和所述第二光吸收层的上表面之间,第一波长谐振,在所述第一光吸收层和所述第二光吸收层接触的界面与所述第二光吸收层的上表面之间,与所述第一波长不同的第二波长谐振。
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