[发明专利]增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构无效
| 申请号： | 201110412662.6 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165651A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张帅;李冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构；包括：源区、漏区、栅区，紧靠栅区边界形成沟道，在P型体区下方有硅衬底N--，在硅衬底N--上生长有N-外延层。本发明可以减轻绝缘栅双极型晶体管Planner IGBT元胞间寄生的结型场效应晶体JFET的夹断效应，从而增强器件的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 驱动 电流 能力 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构；包括：源区、漏区、栅区，紧靠栅区边界形成沟道，在P型体区下方有硅衬底N‑‑，其特征在于，在硅衬底N‑‑上生长有N‑外延层。
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