[发明专利]堆叠式电容器及其制造方法有效
申请号: | 201110411486.4 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN103151244B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 沈鼎瀛;陈宏生;郭泽绵 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/64 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 冯志云,吕俊清 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种堆叠式电容器及其制造方法。该制造方法包括在基底上依次形成第一支撑层、第一绝缘层、第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层;在第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层中形成至少一第一开口;在第一开口的侧壁上形成间隙壁;以间隙壁为掩模,在第一支撑层及第一绝缘层中形成第二开口;进行一回吃工艺,以加大第二开口在第一绝缘层中的宽度;移除间隙壁;在第二开口及第一开口中依次形成下电极、介电层及上电极。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种堆叠式电容器的制造方法,包括:于一基底上依次形成一第一支撑层、一第一绝缘层、一第二支撑层、一第二绝缘层、一第三支撑层及一硬掩模层;于该第二支撑层、该第二绝缘层、该第三支撑层及该硬掩模层中形成至少一第一开口,且残留部分该第二支撑层于该第一开口底部;于该第一开口的侧壁上形成一间隙壁;以该间隙壁为掩模,于该第一支撑层及该第一绝缘层中形成一第二开口;进行一回吃工艺,以加大该第二开口于该第一绝缘层中的宽度;移除该间隙壁;以及于该第二开口及该第一开口中依次形成一下电极、一介电层及一上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造