[发明专利]高介电常数金属栅极半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201110407863.7 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165440A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数金属栅极半导体器件制造方法，包括：提供形成有高介电常数金属栅极结构的半导体器件，所述半导体器件包括衬底、在所述衬底上形成有高介电层和金属栅极，在高介电层和金属栅极的两侧设有侧壁氧化层；对所述半导体器件进行低温退火。本发明在形成高介电常数金属栅极结构之后，对半导体器件进行低温退火，降低了金属栅极缺陷，降低了阈值电压，提高了半导体器件性能，同时使得在退火过程中，避免由于退火温度过高导致的栅极金属产生蒸发而污染退火腔室，造成设备损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 金属 栅极 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电常数金属栅极半导体器件制造方法，包括：提供形成有高介电常数金属栅极结构的半导体器件，所述半导体器件包括衬底、在所述衬底上形成有高介电层和金属栅极，在高介电层和金属栅极的两侧设有侧壁氧化层；对所述半导体器件进行低温退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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