[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
| 申请号： | 201110406269.6 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102543922A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张恕铭;陈键辉;何彦仕;刘建宏;姚皓然;温英男 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；一漏极区，位于该半导体基底中；一源极区，位于该半导体基底中；一栅极，位于该半导体基底之上或至少部分埋于该半导体基底之中，其中该栅极与该半导体基底之间隔有一栅极介电层；一漏极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该漏极区；一源极导电结构，设置于该半导体基底的该第二表面上，且电性连接该源极区；以及一栅极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该栅极。本发明可缩小电子产品的尺寸，并可缩短电性信号的传递距离而提升电子产品的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一表面及与该第一表面相反的一第二表面；一漏极区，位于该半导体基底中；一源极区，位于该半导体基底中；一栅极，位于该半导体基底之上或至少部分埋于该半导体基底之中，其中该栅极与该半导体基底之间隔有一栅极介电层；一漏极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该漏极区；一源极导电结构，设置于该半导体基底的该第二表面上，且电性连接该源极区；以及一栅极导电结构，设置于该半导体基底的该第一表面上，且电性连接该栅极。
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