[发明专利]一种碳化硅粉体及其制备方法无效
| 申请号： | 201110404099.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102491333A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王周福;张少伟;刘浩;王玺堂;张保国 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种碳化硅粉体及其制备方法。其技术方案是：先以5~20wt%的纳米二氧化硅或硅微粉、0.5~2.5wt%的炭黑或土状石墨粉、70~88wt%的碱金属氯化物和5~15wt%的铝粉为原料，混合均匀；再将混合均匀的原料置入管式电炉内，在氩气气氛下以4~10℃/min的升温速率升至800~1000℃，保温2~10小时；然后将所得产物放入浓度为2~5mol/L的硝酸中浸泡3~8小时，过滤，去离子水清洗至清洗液pH值为7.0，110℃干燥8~24小时，即得碳化硅粉体。本发明具有反应温度低、工艺简单、合成过程可控和生产成本低等特点；所制备的碳化硅粉体结晶好，产物纯度高，无杂相，粉体粒径为50~200nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅粉体的制备方法，其特征在于先以5~20wt%的纳米二氧化硅或硅微粉、0.5~2.5wt%的炭黑或土状石墨粉、70~88wt%的碱金属氯化物和5~15wt%的铝粉为原料，混合均匀；再将混合均匀的原料置于管式电炉内，在氩气气氛下以4~10℃/min的升温速率升至800~1000℃，保温2~10小时；然后将所得产物放入浓度为2~5mol/L的硝酸中浸泡3~8小时，过滤，用去离子水清洗至清洗液的pH值为7.0，最后在110℃条件下干燥8~24小时，即得碳化硅粉体。
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