[发明专利]一种晶体硅太阳能电池铝硼浆的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110400023.8 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN102522156A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 杜国平;陈斌;陈楠 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/22
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 夏材祥
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种晶体硅太阳能电池铝硼浆的制备方法,是采用机械球磨法或气体雾化制备铝硼合金粉末;将质量分数为68-82%的铝硼合金粉末或者铝硼合金粉与铝粉的混合粉末、1-10%的无机玻璃粘结剂、18-28%的有机粘结剂和1-5%的添加剂混合制成铝硼浆料。在相同的烧结条件下,采用本发明得到的铝硼浆料制备的晶体硅太阳能电池背表面场中的p型掺杂浓度比采用常规铝浆制备的背表面场中p型掺杂浓度要高一个数量级以上,从而可以对晶体硅太阳能电池的背表面有更优异的钝化效果,同时降低了电池的串联电阻,达到提高太阳能电池光电转换效率的目标。
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 铝硼浆 制备 方法
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池铝硼浆的制备方法,其特征是:(1)采用机械球磨法或气体雾化法制备铝硼合金粉:机械球磨法:将99.99%的高纯铝粉与99.99%的高纯硼粉经过清洗、干燥以后,按照以下质量百分数:硼粉0.5%‑10%wt,其余为铝,将其装入在搅拌式高能球磨机中球磨, 高纯氢气氛保护,球磨时间为2‑8h,实现Al‑B的机械球磨合金化,Al‑B合金粉末的粒径控制在1‑10μm;气体雾化法:采用高真空中频感应熔炼雾化装置制备Al‑B合金粉末,将99.99%的高纯铝粉与99.99%的高纯硼粉经过清洗、干燥以后,按照以下质量百分比:硼粉0.5%‑10%wt,其余为铝,将其装入坩埚中,在中频感应电炉中加热熔炼,熔炼过程中用惰性气体保护;铝硼合金熔融液的雾化在雾化室中进行,雾化温度为800‑1200℃,液体金属由保温炉中漏嘴流入喷嘴,在雾化塔中纯度≥99.99%的高压高速氩气经喷嘴冲击液流,液流被撞击成雾状液滴,液滴在降落过程中冷却并凝固成粒径1‑10μm铝硼合金粉末;(2)、将质量百分比分别为68‑82%、1‑10%、18‑28%、1‑5%的铝硼合金粉末或铝硼合金粉与铝粉的混合粉末、无机玻璃粘结剂、有机粘结剂和添加剂四种物质混合,混合后用三辊轧机辊扎成细度≤15μm,粘度为25000‑35000mPa·s的导电铝硼浆料;当采用铝硼合金粉与铝粉的混合粉末时,该混合粉末按质量百分数组成为:铝粉0.1%‑50%,其余为铝硼合金粉末;铝粉的平均粒径为1‑10μm。
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