[发明专利]磁性材料层的形成方法及形成装置有效
| 申请号： | 201110397659.1 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137859A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01F41/22;C23C16/38;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种磁性材料层的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括用于形成磁性材料层的开口，覆盖所述开口底部和部分侧壁的底部电极层；采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，形成覆盖所述基底的底部电极层表面的磁性材料层。形成的磁性材料层的质量好，最终形成的磁隧道结的性能好，磁存储器的稳定性高。相应的，本发明的实施例还提供了一种磁性材料层的形成装置，为上述磁性材料层的形成方法提供了条件，且结构简单，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性材料 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种磁性材料层的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括用于形成磁性材料层的开口；其特征在于，还包括：采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，形成覆盖所述基底开口的底部或部分侧壁的磁性材料层。
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