[发明专利]一种局部俘获型快闪存储器实现多值/多位存储的操作方法无效
| 申请号： | 201110393572.7 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102436849A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 徐跃;闫锋;吴春波;纪小丽;濮林 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/14 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左右存储位同时实现“10”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀地编程到低位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“01”状态存储，即次高位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀编程到次高位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“00”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀编程到最高位阈值电压编程状态；以上三种编程状态存储单元进行擦除作时使用均匀擦除操作方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 局部 俘获 闪存 实现 存储 操作方法 | ||
【主权项】：
一种局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元的操作方法，其特征是对4位比特的多值/多位存储单元的编程和擦除操作包括下面的步骤：对于存储单元左右物理存储位存储相同的比特情况，按下面的步骤操作，首先将存储单元置于擦除状态，并保证存储单元的阈值电压沿着沟道均匀分布，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储，即同时为擦除状态；若存储单元左右存储位同时实现“10”状态存储，即低位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀地编程到低位阈值电压编程状态，并保证存储单元的阈值电压沿着沟道均匀分布；若存储单元左右存储位同时实现“01”状态存储，即次高位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀编程到次高位阈值电压编程状态，并保证存储单元的阈值电压沿着沟道均匀分布；若存储单元左右存储位同时实现“00”状态存储，即最高位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀编程到最高位阈值电压编程状态，并保证存储单元的阈值电压沿着沟道均匀分布；处于以上三种编程状态的存储单元进行擦除作时使用均匀的擦除操作方式。
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