[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201110392727.5 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103132054A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 黄允文;陈金元;刘传生;杨飞云 | 申请（专利权）人： | 理想能源设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/513;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，包括处理腔，所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁，所述处理腔的腔壁上设置有进气装置，所述侧壁上形成有排气口，所述处理腔内包括一工艺区域，所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置，所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置；所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域；所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。本发明等离子体处理装置可以提高气体分布的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括处理腔，所述处理腔包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁以及形成于所述顶壁与底壁之间的侧壁，所述处理腔的腔壁上设置有进气装置，所述侧壁上形成有排气口，所述处理腔内包括一工艺区域，所述工艺区域和所述排气口之间设置有排气装置，其特征在于，所述排气装置至少包括第一排气装置和第二排气装置；所述第一排气装置用于将等离子体限制在所述工艺区域；所述第二排气装置用于改变工艺区域的气体分布。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
