[发明专利]可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法

摘要

一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法，包括：在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层；在InP帽层上生长SiO2保护层；在SiO2保护层的中间光刻出圆形窗口；通过湿法腐蚀，在圆形窗口中腐蚀InP帽层，形成圆坑；在圆形窗口周围的SiO2保护层上套刻出保护环的窗口；通过扩散工艺在保护环的窗口内；用HF溶液去除剩余的SiO2保护层；在InP帽层上重新生长SiO2层，并在圆坑的周围套刻出电极窗口；通过电子束蒸发、剥离工艺，在电极窗口上形成顶部环状电极；在环状电极上的周围及一侧制备金属电极；通过电子束蒸发，在N型InP衬底的背面形成背部电极；在圆坑内InP帽层的表面，制备SiNx增透膜，完成雪崩二极管探测器的制作。

主权项

1.一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层；步骤2：在InP帽层上生长厚度为的SiO₂保护层；步骤3：在SiO₂保护层的中间光刻出圆形窗口，刻蚀深度到InP帽层的表面；步骤4：通过湿法腐蚀，在圆形窗口中腐蚀InP帽层，形成圆坑；步骤5：在圆形窗口周围的SiO₂保护层上套刻出保护环的窗口；步骤6：通过扩散工艺在保护环的窗口内，形成P型结构；步骤7：用HF溶液去除剩余的SiO2保护层；步骤8：在InP帽层上重新生长SiO₂层，并在圆坑的周围套刻出电极窗口；步骤9：通过电子束蒸发、剥离工艺，在电极窗口上形成顶部环状电极；步骤10：在环状电极上的周围及一侧制备金属电极；步骤11：通过电子束蒸发，在N型InP衬底的背面形成背部电极；步骤12：在圆坑内InP帽层的表面，制备SiN_x增透膜，完成雪崩二极管探测器的制作。