[发明专利]高电压交流发光二极管结构无效
申请号: | 201110390984.5 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN103137643A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 潘敬仁;郑为太;陈明鸿 | 申请(专利权)人: | 海立尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种高电压交流发光二极管结构,其包括:电路基板;以及多个高压LED芯片。高压LED芯片包括:第一基材;粘着层;第一欧姆连接层;磊晶层;第一绝缘层;至少两第一导电板;至少两第二导电板;以及第二基材。借由本发明的实施,可以以晶圆级工艺的高压LED芯片结合较低成本的电路基板,以制作出体积小的高电压交流发光二极管结构。 | ||
搜索关键词: | 电压 交流 发光二极管 结构 | ||
【主权项】:
一种高电压交流发光二极管结构,其特征在于其包括:一电路基板;以及多个高压LED芯片,固设且电性连接于该电路基板上并借由该电路基板使上述高压LED芯片形成一串联电路,又每一该高压LED芯片包括:一第一基材,具有一第一表面及一第二表面;一粘着层,形成于该第一表面上;至少两第一欧姆连接层,形成于该粘着层上;至少两磊晶层,任两该磊晶层间形成有一第一沟槽,每一该磊晶层具有:一下披覆层,形成于一该第一欧姆连接层上;一作用层,形成于该下披覆层上;以及一上披覆层,形成于该作用层上;一第一绝缘层,覆盖于每一该第一欧姆连接层及每一该上披覆层其裸露的表面,且形成于任两该第一欧姆连接层间,该第一绝缘层于每一该上披覆层及每一该第一欧姆连接层其裸露部处,分别形成有一第一开孔及一第二开孔;至少两第一导电板,分别形成于每一该第一开孔内,且电性连接于一该上披覆层;至少两第二导电板,分别形成于每一该第二开孔内,且电性连接于一该第一欧姆连接层;以及一第二基材,其具有一第三表面,该第三表面形成有至少两第三导电板及至少两第四导电板,又该第二基材形成有多条电路结构,用以电性连接上述第三导电板及上述第四导电板,且每一该第三导电板及每一该第四导电板分别借由焊点电性连接于相对应的该第一导电板及该第二导电板,又该第一基材为一透明基材且该粘着层为一透明粘着层,且该第三表面上于该第三导电板及该第四导电板以外的部位形成有一反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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