[发明专利]全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法

摘要

本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。

主权项

一种全无机氧化物高效量子点太阳电池，由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，其特征在于，所述NiO薄膜(3)作为空穴的收集层，其禁带宽度依赖于薄膜厚度因素，最高被占用分子轨道在5.4eV附近；所述ZnO纳米薄膜(5)作为电子的收集层，其禁带宽度依赖于ZnO纳米晶合成尺寸因素，最低未占据分子轨道在4.3eV附近，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜(4)与ZnO纳米薄膜(5)界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜(4)迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜(4)与NiO薄膜(3)界面构成异质结，有助于光生空穴从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜(4)迁移进入氧化物空穴收集层；所述阳极为ITO电极(2)，所述阴极为Ag电极(6)。