[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110387761.3 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102386284A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 殷涵玉;王登志;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—去杂质富集层—镀膜—印刷—烧结，即可得到所述晶体硅太阳能电池。本发明在去杂质玻璃层之后进行了去杂质富集层的操作，实现了去除硅片表层的杂质富集层的目的。实验证明，相比现有的制备工艺，经过本发明的方法制备得到的太阳能电池的短波响应良好，光电转换效率有0.1%~0.3%左右的绝对提升，取得了意想不到的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—去杂质富集层—镀膜—印刷—烧结，即得到所述晶体硅太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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