[发明专利]GaN基脊型激光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层窗口，接着借助对该挡光层的腐蚀实现对残余绝缘层的剥离。本发明同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握。

主权项

一种制备GaN基脊型激光器的方法，具体包括以下步骤：1)将GaN激光器外延片的蓝宝石衬底背面抛光，或采用背面抛光衬底的GaN激光器外延片；2)在GaN激光器外延片的正面制备挡光层；3)在GaN激光器外延片正面的挡光层上通过光刻曝光出激光器脊型结构的图形，之后刻蚀或腐蚀将挡光层制备成条形结构；4)在GaN激光器外延片上干法刻蚀形成激光器的P区脊型结构和N区注入结构，之后在具有了P区和N区结构的激光器外延片上沉积绝缘层；5)在绝缘层上涂布光刻胶，从抛光的蓝宝石衬底一侧对蓝宝石进行泛曝光；6)显影、去除绝缘层上脊型结构上方的光刻胶，形成脊型结构之上的窗口图形；7)去除窗口区的绝缘层，接着去除挡光层，形成P区脊型上的电流注入区；8)沉积P区电极，退火形成欧姆接触，之后再形成N区电极，至此制得GaN基激光器。