[发明专利]等离子体处理装置及其保护环无效
| 申请号： | 201110379667.3 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102368467A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周俊杰;江瑞星;包中诚 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置及其保护环，等离子体处理装置包括：处理腔室；置于处理腔室内的适于吸附晶片的静电吸盘；以包围静电吸盘的方式安装在静电吸盘上，并与静电吸盘一起支撑晶片的保护环，保护环呈中空环状。保护环安装在静电吸盘上并与静电吸盘一起支撑待处理晶片，在对晶片进行等离子体处理的过程中能改善晶片背面污染问题，并能增加晶片的加工强度；而且，保护环的尺寸可以根据待处理晶片的直径尺寸进行灵活调节，使在同一个等离子体处理装置中可以对多种规格尺寸的晶片进行等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 保护环 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理腔室；置于所述处理腔室内的适于吸附晶片的静电吸盘；以包围所述静电吸盘的方式安装在所述静电吸盘上并与所述静电吸盘一起支撑晶片的保护环，所述保护环呈中空环状。
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