[发明专利]一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法有效
| 申请号: | 201110378885.5 | 申请日: | 2011-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN102479724A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种散热增益型堆叠式半导体组件的制造方法,其中该组件包括半导体元件、散热座、黏着层、被覆穿孔、第一集成电路及第二集成电路。该散热座包括一凸块及一凸缘层。该凸块定义出一凹穴。该半导体元件设置于凸块上并位于凹穴处,且电性连接至该第一集成电路,并与凸块热连结。该凸块延伸进入黏着层的开口,且该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该第一集成电路及第二集成电路朝相反方向延伸于半导体元件外。该被覆穿孔延伸穿过该黏着层,并提供第一集成电路与第二集成电路间的信号路由。该散热座为半导体元件提供散热效果。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 散热 增益 堆叠 半导体 组件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法,其包括以下步骤:提供一凸块、一凸缘层、一黏着层及一具有通孔的导电层,其中该凸块定义出面朝第一垂直方向的一凹穴,且于相反于该第一垂直方向的第二垂直方向上覆盖该凹穴,同时该凸块邻接该凸缘层并与该凸缘层一体成型,且自该凸缘层朝该第二垂直方向延伸,而该凸缘层则自该凸块朝垂直于该第一及第二垂直方向的侧面方向侧向延伸;然后通过该黏着层将该凸缘层及该凸块黏附至该导电层,其中该黏着层介于该凸缘层与该导电层之间及该凸块与该导电层之间,此步骤包括将该凸块对准该通孔;然后将包含一接触垫的一半导体元件设置于该凸块上且位于该凹穴处;提供一第一集成电路于该半导体元件及该凸缘层上,其中该第一集成电路自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸,且电性连接至该半导体元件;提供一第二集成电路,其朝该第二垂直方向延伸于该凸块、该黏着层及该导电层外;以及提供一被覆穿孔,其朝该第一及第二垂直方向延伸贯穿该黏着层,以提供该第一集成电路与该第二集成电路之间的电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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